碳化硅磚是以碳化硅為主要原料制成的。SiC為共價結(jié)合，不存在通常所說的燒結(jié)性，而靠化學反應(yīng)生成新相達到燒結(jié)，即反應(yīng)燒結(jié)。碳化硅磚按結(jié)合方式不同分為粘土結(jié)合碳化硅磚，結(jié)合碳化硅磚，氧氮化硅結(jié)合碳化硅磚，氮化硅結(jié)合碳化硅磚，Sialon結(jié)合碳化硅磚和重結(jié)晶碳化硅磚。

1、粘土結(jié)合碳化硅磚，用黑色碳化硅做原料，結(jié)合性好的軟質(zhì)粘土，紙漿廢液做結(jié)合劑制造的制品。一般結(jié)合粘土10％～15％，紙漿廢液3％～5％，以最大堆積密度計算碳化硅的大、中、細種顆粒組成?；炝蠒r先加入碳化硅的顆粒和細粉，再加入粘土細粉，干混3min再加入紙漿廢液(密度為1.26～1.28g／cm3)4％進行混練，困料12h后的泥料過4mm孔徑的篩網(wǎng)，用壓磚機成型，磚坯體積密度為2.5～2.7g／cm3。磚坯自然干燥2～4天，1400℃燒成。

2、氮化硅結(jié)合碳化硅磚，用碳化硅和硅粉做原料，經(jīng)氮化燒成的制品。

碳化硅原料含SiC大于97％，其泥料的碳化硅顆粒配比為：粗：中：細=5：1：4。硅粉含大于98％，小于10μm的占80％以上，最大顆粒不能超過20μm。碳化硅顆粒與硅粉經(jīng)過配料，混合，成型，干燥后，磚坯放入氮化爐中燒成，在燒成過程中通入氮氣，爐內(nèi)溫度，壓力，氣氛均要嚴格控制。其工藝參數(shù)為：氮化氣體壓力為0.02～0.04MPa，爐內(nèi)氣氛含O2量小于0.01％，最終氮化溫度為1350～1450℃，氮化總時間隨制品形狀，尺寸不同而異。

3、β-SiC結(jié)合碳化硅磚，將碳化硅，硅粉和炭粉按一定比例配合，混合，成型，在1400℃下還原氣氛中燒成。大多數(shù)采用埋碳燒成。燒成過程中，產(chǎn)生一種以α—SiC為骨架，以細品粒β一SiC為基質(zhì)的β一SiC結(jié)合碳化硅磚。β一SiC是在燒成過程中，硅粉與炭粉反應(yīng)生成的。這種產(chǎn)品通常含有少量殘留硅和碳。

4、氧氮化硅結(jié)合碳化硅磚，配料中硅粉少于Si3N4結(jié)合磚的配比，成型后在富N2氣氛中(要求有一定的O2分壓)燒成，溫度為1350～1400℃。成品是一種以α—SiC為骨架，以Si2ON2為基質(zhì)的氧氮化硅結(jié)合碳化硅磚。基質(zhì)中往往存在少量Si和Si3 N4。

5、Sialon結(jié)合碳化硅磚，按一定粒度配比的碳化硅中配入Si3N4和Al203粉，加入結(jié)合劑混練，成型后在還原氣氛中燒成。制得以α—SiC為骨架，以Sialon為基質(zhì)的耐火制品。由于Sialon基質(zhì)存在于粒子之間，制品強度提高，抗熱震性增強。

6、重結(jié)晶碳化硅制品，由100％α—SiC構(gòu)成，無第二相存在。

原料含SiC 99.5％以上，采用最大堆積密度的顆粒級配，高壓成型，與空氣隔絕燒成的電爐中燒成，溫度在2100℃以上，要求電爐能燒到2500℃，SiC發(fā)生蒸發(fā)凝結(jié)，導致無收縮的自結(jié)合結(jié)構(gòu)。

碳化硅磚熱導率高，有良好的耐磨性、抗熱震性、耐侵蝕性。可用于鋁電解槽內(nèi)襯、熔融鋁導管和陶瓷窯用窯具、大中型高爐爐身下部、爐腰和爐腹、鋁精煉爐爐襯、鋅蒸餾罐襯等。